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hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板

   日期:2021-01-13     浏览:4    
  华中某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE制作面阵石英 DNA芯片模板.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

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基板尺寸

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< Ф8 X 1wfr

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样品台

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直接冷却(水冷)0-90 度旋转

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离子源

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16cm 考夫曼离子源

portant;">

均匀性

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±5% for 4”Ф

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

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温度

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<100

​ v:shapes="_x0000_i1025">

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

 

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

 

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作的芯片模板较其他手段制作的同类器件而言其表面微结构形貌上的特点更有利于DNA序列样本与芯片模板的吸附耦合.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
 

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