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离子刻蚀机10IBE用于多晶黑硅消耗伤去除与钝化性能研究

   日期:2021-01-13     浏览:8    
 南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的消耗失层优化了多晶黑硅结构.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

portant;">

基板尺寸

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< Ф8 X 1wfr

portant;">

样品台

portant;">

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

portant;">

离子源

portant;">

16cm 考夫曼离子源

portant;">

均匀性

portant;">

±5% for 4”Ф

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

portant;">

温度

portant;">

<100

​ 

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

 


 
   
   
   
   
   
   
   
   
   
 

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除消耗伤层保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
 

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